Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTD123TS,126
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTD123TS
PDTD123TS,126 Hakkında
PDTD123TS,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 500 mW güç tüketimi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Entegre 2.2 kOhm baz direnciyle doğrudan PCB'ye monte edilebilir, tasarım karmaşıklığını azaltır. 50V kolektör-emitör kırılma gerilimi ve 100 minimum DC kazanç, düşük ve orta seviye sinyal işleme devrelerinde yer bulur. Through-hole montaj türü ile geleneksel lehimleme yöntemlerine uyumludur. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok