Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTD123TK,115
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTD123TK
PDTD123TK,115 Hakkında
PDTD123TK,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMT paketinde sunulan bu komponent, 250mW maksimum güç yönetimi kapasitesi ile entegre devreler içinde sinyal kontrolü, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 500mA maksimum kolektör akımı, 100 minimum DC akım kazancı ve 300mV saturasyon voltajı ile düşük seviye mantık sinyallerinin işlenmesine uygundur. Dahili 2.2kOhms taban direnci sayesinde ek biyaslandırma devre elemanlarına ihtiyaç duymadan doğrudan entegrasyon sağlar. 50V Vce dağılım voltajı ile orta güçlü uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok