Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

PDTD123ET,215

TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PDTD123ET

PDTD123ET,215 Hakkında

PDTD123ET,215, Nexperia tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç tüketimi gerektiren analog ve dijital devrelerde kullanılır. 500 mA maksimum kollektör akımı ve 50V maksimum gerilim kapasitesi ile sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve lojik uygulamalarında tercih edilir. Entegre ön beslenme dirençleri (R1 ve R2, her biri 2.2 kΩ) sayesinde harici biyaslandırma gereksinimi ortadan kaldırır. 250 mW güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel kontrol, bilgisayar tarayıcıları ve tüketici elektroniklerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok