Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTD123ES,126
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTD123ES
PDTD123ES,126 Hakkında
PDTD123ES,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar junction transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, entegre baz dirençleri (R1 ve R2 olarak 2.2 kΩ) ile birlikte gelir. Maksimum 500 mW güç tüketimi ve 50V kolek-emiter kırılma gerilimi ile çalışır. 500 mA maksimum kolektör akımı ve 40 minimum DC akım kazancı (hFE) ile tasarlanmıştır. Ön beslemeli yapısı sayesinde anahtarlama uygulamalarında dış baz direnci gerektirmez. Uydu haberleşmesi, endüstriyel kontrol sistemleri ve çeşitli sinyal işleme devrelerinde kullanılan bu transistör artık üretilmemektedir (obsolete status).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok