Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTD123EQAZ
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTD123E
PDTD123EQAZ Hakkında
PDTD123EQAZ, Nexperia tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistörüdür. 3-XDFN SMD paket içinde sunulan bu bileşen, entegre baz ve emitter direnç ağları ile önceden ayarlanmış durumdadır. 500mA maksimum kolektör akımı, 50V bozulma gerilimi ve 210MHz transition frequency ile işaret amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 325mW maksimum güç dağılımı kapasitesi olan bu transistör, RF devreleri, ses amplifikatörleri ve lojik seviye sürücü uygulamalarında tercih edilir. Dahili 2.2kΩ baz ve emitter dirençleri sayesinde harici biyaslandırma elemanlarına ihtiyaç duymaz, PCB alanını ve tasarım karmaşıklığını azaltır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 210 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 325 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok