Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

PDTD114ETVL

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PDTD114E

PDTD114ETVL Hakkında

PDTD114ETVL, Nexperia tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 500mA kolektör akımı ve 225MHz geçiş frekansına sahiptir. İntegre 10kΩ baz ve emitter-baz dirençleriyle ön beslemeli yapısı sayesinde tasarım kolaylığı sağlar. 320mW maksimum güç kapasitesi ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarına uygundur. Audio amplifikatörleri, anahtar devreler ve genel sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 70'lik minimum DC akım kazancı (hFE) kontrollü amplifikasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition 225 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 320 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok