Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTD114ETR
TRANS PREBIAS NPN 0.425W
PDTD114ETR Hakkında
PDTD114ETR, Nexperia tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, entegre 10kΩ baz ve emitter-baz dirençleri ile donatılmıştır. 500mA maksimum kolektör akımı, 225MHz transition frekansı ve 320mW güç disipasyon kapasitesi ile düşük sinyalli uygulamalarda kullanılır. Maksimum 50V kolektör-emitter gerilimi ve 100mV doyma gerilimi ile lojik kapı uygulamaları, sinyal anahtarlaması ve amplifikasyon devrelerinde uygulanır. Aktif parça statüsü ile mevcut üretimde olup endüstriyel ve tüketim elektroniği tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 225 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 320 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok