Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTD114EQAZ
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTD114EQ
PDTD114EQAZ Hakkında
PDTD114EQAZ, Nexperia tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. 3-XDFN yüzey montaj paketi içinde entegre halde gelen bu komponent, 500mA maksimum kolektör akımı ve 210MHz geçiş frekansı ile çalışır. İç yapısında 10kΩ taban ve 10kΩ emiter-taban direnç ağları bulunmaktadır. 50V kolektör-emiter kırılma voltajı ve 325mW maksimum güç derecelendirmesi ile düşük güç dijital ve analog devrelerinde anahtarlama uygulamalarında, sinyal yükselticilerde ve lojik seviye dönüştürücülerde kullanılır. Aktif durumdaki 70 minimum DC akım kazancı ve 100mV saturasyon voltajı, hızlı komütasyon işlemleri gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 210 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 325 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok