Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

PDTD113ZT,215

TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PDTD113Z

PDTD113ZT,215 Hakkında

PDTD113ZT,215, Nexperia tarafından üretilen NPN ön beslemeli (pre-biased) transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paket içerisinde entegre edilmiş 1kΩ base ve 10kΩ emitter-base direnç değerlerine sahiptir. 500mA maksimum collector akımı, 50V Vce(br)dss kırılma gerilimi ve 250mW güç tüketimi ile düşük sinyal uygulamaları, anahtarlama devreleri ve lojik seviye uyarlaması gibi alanlarda kullanılır. Dahili dirençleri sayesinde harici biyaslandırma komponentlerine ihtiyaç duymaz ve kompakt tasarımlara uygun bir çözüm sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok