Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTD113ZS,126
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTD113ZS
PDTD113ZS,126 Hakkında
PDTD113ZS,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistöründür. TO-92-3 (TO-226AA) paketlemesinde sunulan bu bileşen, 500mW güç derecelendirmesine ve maksimum 500mA kolektör akımına sahiptir. Dahili base ve emitter-base direnç ağlarıyla (sırasıyla 1kΩ ve 10kΩ) önceden yapılandırılmıştır. 50V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ile çalışan transistör, 70 (minimum) DC akım kazancına (hFE) ve 300mV maksimum satürasyon voltajına sahiptir. Kontrollü anahtarlama uygulamaları, sinyal amplifikasyonu ve genel amaçlı diskreet lojik devrelerinde kullanıma uygundur. Through-hole montajı için tasarlanmıştır. Not: Bu bileşen üretimi sonlandırılmış (obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok