Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTD113ZQAZ
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTD113Z
PDTD113ZQAZ Hakkında
PDTD113ZQAZ, Nexperia tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir bipolar junction transistördür. 3-XDFN Surface Mount pakette sunulan bu bileşen, maksimum 500mA collector akımı ve 210MHz transition frekansı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Dahili 1kΩ base resistörü ve 10kΩ emitter-base resistörü ile önceden konfigüre edilen bu transistör, entegre devre girişi sürücüsü, sinyal anahtarlaması ve lojik seviye kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 325mW güç yeteneği ve 50V breakdown voltajı ile göreceli olarak geniş bir çalışma aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 210 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 325 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok