Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

PDTD113ET,215

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PDTD113ET

PDTD113ET,215 Hakkında

PDTD113ET,215, Nexperia tarafından üretilen NPN ön beslemeli bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 250mW güç dağıtımına ve maksimum 500mA kollektör akımına sahiptir. Entegre 1kΩ base ve emitter-base dirençleri ile önceden yapılandırılmış yapısı, hızlı ve kolay devre tasarımına olanak tanır. 50V VCE(br)iss diyeleştirme gerilimi ile genel amaçlı anahtarlama, lojik arayüz ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Düşük kollektör kaçak akımı (500nA) ve 33 minimum DC akım kazancı ile güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 1 kOhms
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok