Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTD113ES,126
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTD113
PDTD113ES,126 Hakkında
PDTD113ES,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) transistördür. TO-92-3 pakette sunulan bu komponent, maksimum 500mW güç tüketimine ve 500mA kolektör akımına sahiptir. Entegre 1kΩ baz ve 1kΩ emiter-baz dirençleriyle donatılmış olan bu transistör, tasarım basitliği ve hızlı devre tasarımı gerektiren uygulamalarda tercih edilir. 50V maksimum kolektör-emiter kırılma gerilimi ve 50mA akımda minimum 33 DC akım kazancı (hFE) değerleriyle, düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanıma uygundur. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici baz biasing dirençlerine ihtiyaç duymadan doğrudan kullanılabilir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmış durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok