Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

PDTD113EQAZ

TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1010D-3

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
3-XDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
PDTD113EQA

PDTD113EQAZ Hakkında

PDTD113EQAZ, Nexperia tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 3-XDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 50V kolektör-emitör gerilimi ve 500mA kolektör akımı ile çalışır. 210 MHz geçiş frekansı ve 325mW maksimum güç derecelendirmesi ile analog ve dijital devre uygulamalarında kullanılır. İntegre 1kΩ baz ve emitör dirençleri sayesinde harici direnç gerektirmeden direkt sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. Küçük boyutlu SMD paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition 210 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 3-XDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 325 mW
Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 1 kOhms
Supplier Device Package DFN1010D-3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok