Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTD113EK,115
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTD113EK
PDTD113EK,115 Hakkında
PDTD113EK,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMT paketinde sunulan bu komponent, maksimum 250 mW güç tüketimi ile çalışabilir. Kolektör akımı maksimum 500 mA'ye kadar çıkabilir ve 50V'luk kolektör-emiter breakdown voltajına sahiptir. İç yapısında 1 kOhm değerinde ön beslemeli dirençler bulunur. Vce saturasyon voltajı maksimum 300mV'dir. Düşük güçlü anahtarlama uygulamaları, lojik seviye kontrolü ve sinyal işleme devrelerinde kullanılır. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok