Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC144ES,126
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTC144ES
PDTC144ES,126 Hakkında
PDTC144ES,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 500mW güç tüketimi ve 100mA kolektör akımı kapasitesiyle düşük sinyal uygulamalarında kullanılmaktadır. Entegre 47kΩ base ve emitter-base dirençleri sayesinde harici biyaslandırma devrelerine gerek kalmadan doğrudan kullanılabilir. 50V kolektör-emitter voltaj dağılması ve minimum 80 hFE akım kazancı ile genel amaçlı anahtarlama, sinyal amplifikasyonu ve lojik seviye uygulamalarında tercih edilir. Diyot mantığı (DTL) ve transistör-transistor mantığı (TTL) devrelerinin interfacing uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok