Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC144EQBZ
PDTC144EQB/SOT8015/DFN1110D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTC144EQ
PDTC144EQBZ Hakkında
PDTC144EQBZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. 3-XDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter dirençleri (her biri 47 kΩ) içerir ve hızlı komutasyon uygulamaları için tasarlanmıştır. 100mA maksimum collector akımı, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 180MHz transition frequency ile, sinyal şartlandırma, lojik seviyelendirme ve düşük güçlü anahtarlama devrelerinde kullanılır. 340mW maksimum güç dissipasyonu ve 100mV saturation voltajı ile, dijital IC'leri güç bileşenlerine bağlayan driver uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 340 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok