Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

PDTC143ZQBZ

PDTC143ZQB/SOT8015/DFN1110D-3

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
3-XDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
PDTC143

PDTC143ZQBZ Hakkında

PDTC143ZQBZ, Nexperia tarafından üretilen ön beslemeli PNP BJT transistördür. 3-XDFN DFN1110D-3 paketinde sunulan bu komponent, entegre baz ve emiter dirençleri (sırasıyla 4.7kΩ ve 47kΩ) ile doğrudan lojik devrelerine bağlanabilir. Maksimum 100mA kolektör akımı, 50V gerilim dayanımı ve 180MHz geçiş frekansı ile düşük güç anahtarlama ve sinyal amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır. 340mW maksimum güç tüketimiyle şehir ve tüketici elektroniğinde röle sürücüleri, LED kontrolü ve dijital lojik arabirimleri için tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 180 MHz
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case 3-XDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 340 mW
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package DFN1110D-3
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok