Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC143ZK,115
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTC143
PDTC143ZK,115 Hakkında
PDTC143ZK,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulur. Maksimum 250mW güç dağıtım kapasitesine sahip olan bu bileşen, 100mA'e kadar kolektör akımı sağlayabilir. İç yapısında 4.7kΩ baz direnç ve 47kΩ emiter-baz direnç bulunur. DC akım kazancı (hFE) 10mA kolektör akımında ve 5V Vce'de 100'dür. Collector-emitter doyum gerilimi 100mV'dir. 50V'luk breakdown gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. Anahtarlama devreleri, sürücü uygulamaları ve sinyal yönetiminde tercih edilir. Cihazın üretimi durdurulmuş olup, alternatif çözümler değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok