Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC143XQBZ
PDTC143XQB/SOT8015/DFN1110D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTC143XQB
PDTC143XQBZ Hakkında
PDTC143XQBZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli bipolar junction transistördür. 3-XDFN DFN1110D-3 paketinde sunulan bu bileşen, entegre baz ve emitter dirençleri (sırasıyla 4.7kΩ ve 10kΩ) ile gelmektedir. Maksimum 100mA kolektör akımı, 50V çöküntü gerilimi ve 180MHz geçiş frekansıyla düşük güç uygulamalarında kullanılır. 340mW maksimum güç harcaması ve 100mV doyum gerilimi ile anahtarlama devreleri, lojik seviyeleri yükseltme, ve küçük sinyal amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Surface mount wettable flank montajı ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 340 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok