Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC143XQAZ
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTC143
PDTC143XQAZ Hakkında
PDTC143XQAZ, Nexperia tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. 3-XDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu komponent, hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 230 MHz transition frequency ve 100 mA maksimum collector akımı özelliğine sahiptir. Gömülü 4.7 kΩ base direnci ve 10 kΩ emitter-base direnci ile ön biaslanmış yapısı sayesinde harici biasing komponentleri gerektirmez. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 280 mW maksimum güç derecelendirmesi ile sayısal lojik devrelerinde seviye kaydırma, darbe üretimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren PCB tasarımlarında tercih edilen kompakt boyutu ile bilgisayar, endüstriyel kontrol ve tüketici elektronikleri ürünlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 230 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 280 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok