Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC143XE,115
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- PDTC143XE
PDTC143XE,115 Hakkında
PDTC143XE,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu komponent, maksimum 150 mW güç tüketimi ile çalışır. 100 mA maksimum kolektör akımı ve 50 V kollektör-emitter bozulma gerilimi ile özellikleri belirlenmiştir. Entegre 4.7 kOhms baz direnci (R1) ve 10 kOhms emitter-baz direnci (R2) sayesinde ön yüklü yapılandırma sağlar. DC akım kazancı 10mA akım ve 5V gerilimdeki koşullarda minimum 50'dir. Doyma gerilimi 100mV'tur. Anahtarlama uygulamaları, sinyal işleme devreleri ve lojik seviyesi dönüştürme işlemlerinde kullanılır. Bileşen güncel üretimde bulunmamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-75 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok