Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC143ES,126
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTC143ES
PDTC143ES,126 Hakkında
PDTC143ES,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 500 mW güç tüketimine sahiptir. Entegre 4.7 kΩ baz ve emitter-baz dirençleriyle, harici biyaslamaya gerek olmadan çalışabilir. Maksimum 100 mA kollektör akımı ve 50 V gerilim dağılım özelliğine sahiptir. Doyum durumunda 150 mV Vce değeri ile düşük sıcaklık katsayısında stabilite sağlar. Hızlı anahtarlama uygulamalarında, logic seviye sürücülerinde ve darbe sayaçlarında kullanılır. Ancak bileşen üretimi durdurulmuş (Obsolete) olup, yeni tasarımlarda alternatifleri tercih edilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok