Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC143EQAZ
TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1010D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTC143EQ
PDTC143EQAZ Hakkında
PDTC143EQAZ, Nexperia tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. DFN1010D-3 paket içinde tümleşik base ve emitter dirençleri (her ikisi 4.7 kOhms) bulunur. Maksimum 100 mA kollektör akımı ve 50 V kolektor-emitter gerilimi ile çalışabilir. 280 mW güç dağıtımı kapasitesi ve 230 MHz geçiş frekansı, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Düşük Vce doyum gerilimi (150 mV @ 10 mA) ile verimli çalışır. Ön beslemeli yapısı sayesinde ayrı bias devresi gerektirmez. Sinyal kuvvetlendirme, hızlı anahtarlama, lojik devre sürücüleri ve kompakt tasarımlı uygulamalarda kullanılır. Surface mount montajı için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 230 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 280 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok