Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC143EK,115
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTC143EK
PDTC143EK,115 Hakkında
PDTC143EK,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 250mW güç tüketimi ile çalışır. 100mA kollektör akımı ve 50V VCE(BR) diyaslı gerilimi ile tasarlanmıştır. Transistöre entegre 4.7kΩ baz ve emitter baz dirençleri sayesinde ayrı biyaslandırma devresi gerektirmez. DC akım kazancı (hFE) minimum 30 (10mA, 5V koşullarında) olup, doyma gerilimi 150mV'tur. Sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve mantık devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Düşük güçlü uygulamalarda hızlı ve ekonomik bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok