Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC124ES,126
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTC124ES
PDTC124ES,126 Hakkında
PDTC124ES,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. TO-92-3 paket içerisinde entegre edilen 22 kΩ baz ve 22 kΩ emitter-baz dirençleriyle önceden yapılandırılmıştır. Maksimum 100 mA kolektör akımı ve 500 mW güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Vce doyum gerilimi 150 mV @ 500µA, 10mA, kollektör-emitter açılma gerilimi 50V'tur. Through-hole montajı destekleyen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, mantık devre arabirimleri ve sürücü devreleri gibi genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük akım gereksinimleri olan uygulamalarda tercih edilen bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok