Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC124EQBZ
PDTC124EQB/SOT8015/DFN1110D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTC124EQB
PDTC124EQBZ Hakkında
PDTC124EQBZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. 3-XDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu bileşen, temel ve emitter bacaklarında sırasıyla 22 kΩ'luk entegre dirençler içerir. Maksimum 100 mA kolektör akımı ve 340 mW güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 180 MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Vce doyum gerilimi 100 mV @ 10 mA olup, 50 V maksimum besleme gerilimini destekler. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici biyaslandırma devrelerine gerek duymaksızın lojik devreler, sensör arayüzleri ve düşük güç anahtarlama uygulamalarında doğrudan kullanılmaya uygundur. Surface Mount Wettable Flank montajı ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 340 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok