Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

PDTC124EMB,315

TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
3-XFDFN
Seri / Aile Numarası
PDTC124EMB

PDTC124EMB,315 Hakkında

PDTC124EMB,315, Nexperia tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. DFN1006B-3 yüzey montaj paketi içerisinde entegre olan bu bileşen, 50V kolektör-emitter kırılma gerilimi ile çalışır. İçerisinde 22kΩ base ve 22kΩ emitter-base direnç kombinasyonuna sahiptir. Maksimum 100mA kolektör akımı ve 250mW güç tüketimi kapasitesine sahip olan bu transistör, 230MHz geçiş frekansında çalışır. 60 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 150mV maksimum saturation gerilimi ile karakterizedir. Anahtarlama uygulamaları, lojik devre tasarımı ve dijital sinyal işleme devrelerde yaygın olarak kullanılır. Küçük paket boyutu, düşük güç tüketimi ve entegre dirençleriyle kompakt tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 230 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 3-XFDFN
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
Supplier Device Package DFN1006B-3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok