Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PDTC124EMB,315
NEXPERIA PDTC124EMB - SMALL SIGN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Seri / Aile Numarası
- PDTC124EMB
PDTC124EMB,315 Hakkında
PDTC124EMB,315, Nexperia tarafından üretilen NPN tipinde ön-biaslanmış (pre-biased) küçük sinyal transistördür. 22 kΩ'luk taban ve emitter tabanı dirençleri dahili olarak entegre edilmiştir. Maksimum 100 mA kolektör akımı, 50 V kolektor-emitter gerilimi ve 230 MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 250 mW'lik maksimum güç dağılımı ve 60 minimum DC akım kazancı (hFE) ile sinyal işleme, lojik seviyeleri sürme ve genel anahtarlama devrelerinde tercih edilir. SC-101 (SOT-883) yüzey monte paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Part Status | Active |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 230 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok