Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC124EK,115
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTC124EK
PDTC124EK,115 Hakkında
PDTC124EK,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen bir NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. TO-236-3/SOT-23-3 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 250mW maksimum güç tüketim kapasitesine ve 100mA maksimum collector akımına sahiptir. İçerisinde entegre olarak 22kΩ değerinde base (R1) ve emitter-base (R2) dirençleri bulunur. Vce saturation değeri 150mV olup, 50V collector-emitter breakdown voltajına dayanabilir. DC gain değeri 5mA/5V koşullarında minimum 60'tır. Ön beslemeli yapısı sayesinde sürücü devrelerinde, sinyal anahtarlamasında ve düşük güçlü AC sinyal amplifikasyonunda kullanılır. Kompakt SMD tasarımı nedeniyle yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında tercih edilir. Not: Bu bileşen üretim dışıdır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok