Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC123YS,126
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTC123YS
PDTC123YS,126 Hakkında
PDTC123YS,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. TO-92-3 (TO-226AA) paketinde sunulan bu komponent, düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum 500 mW güç tüketimi ile çalışabilen transistör, entegre base ve emitter dirençlerine (sırasıyla 2.2 kΩ ve 10 kΩ) sahiptir. Maksimum 100 mA kolektör akımı ve 50 V kolektör-emitter gerilimi ile sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve lojik devrelerinde kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 5 mA ve 5 V'de minimum 35'tir. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici base direnci gerektirmeden doğrudan uygulamalara monte edilebilir. Maksimum 1 µA kolektör cutoff akımı ile low-power uygulamalarda tercih edilir. Şu anda üretimi durdurulmuş durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok