Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC123JT,235
TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
PDTC123JT,235 Hakkında
PDTC123JT,235, Nexperia tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, entegre base ve emitter dirençleri ile donatılmıştır. 50V kolektör-emitter geriliminde, 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışabilir. 250mW maksimum güç disipasyonuna sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 10mA kolektör akımında minimum 100'dür. Dahili 2.2kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci ile ön yapılandırılmış olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında düşük bileşen sayısı ile devre tasarımını basitleştirir. Ses amplifikasyonu, lojik seviyeleri değiştirme ve genel dijital/analog anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok