Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC123JT,215
TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
PDTC123JT,215 Hakkında
PDTC123JT,215, Nexperia tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) BJT transistördür. 50V kollektör-emitter gerilimi ve 250mW maksimum güç dağıtımı ile tasarlanmıştır. Entegre olarak yerleştirilmiş 2.2kΩ taban ve 47kΩ emitter-taban dirençleri ile sağlanan ön beslemeli yapısı, basit anahtarlama uygulamalarında kullanım için gerekli biyaslamayı otomatik olarak sağlar. 100mA maksimum kollektör akımı ve 100V/V'den yüksek DC akım kazancı ile, röle kontrol, optokuplör sürücüleri, LED kontrolü ve düşük sinyal anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajı paketinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok