Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC123JS,126
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTC123JS
PDTC123JS,126 Hakkında
PDTC123JS,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistörüdür. TO-92-3 (TO-226AA) paketinde sunulan bu bileşen, 500 mW güç sınırlamasıyla tasarlanmıştır. İç yapısında 2.2 kOhm base direnci ve 47 kOhm emitter-base direnci barındırır. Maksimum collector akımı 100 mA olup, 10 mA ve 5V koşullarında minimum 100 DC akım kazancına sahiptir. Collector-emitter doyum gerilimi maksimum 100 mV ve breakdown gerilimi 50 V'tur. Ön beslemeli yapısı sayesinde darbe devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve sinyal işlemede kullanılmaya uygundur. Ürün obsolete statüsündedir ve through-hole montajı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok