Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC123JQBZ
PDTC123JQB/SOT8015/DFN1110D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTC123JQB
PDTC123JQBZ Hakkında
PDTC123JQBZ, Nexperia tarafından üretilen entegre baz ve emiter dirençli PNP ön beslemeli (pre-biased) transistördür. 100mA collector akımı, 180MHz transition frequency ve 50V breakdown voltajı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. İç baza 2.2kΩ ve emiter-tabana 47kΩ dirençler entegre edilmiştir. 3-XDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu bileşen, compact tasarımlar ve yüksek yoğunluklu PCB uygulamalarında tercih edilir. Dijital lojik seviyelendirme, sinyaleme ve ön beslemeli anahtar uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maximum güç tüketimi 340mW'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 340 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok