Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC123JQAZ
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PDTC123
PDTC123JQAZ Hakkında
PDTC123JQAZ, Nexperia tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 3-XDFN Surface Mount paketinde sunulan bu komponent, entegre base ve emitter dirençleri (2.2 kΩ ve 47 kΩ) ile birlikte gelir. Maksimum 100 mA kollektör akımı ve 230 MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 280 mW güç dağılımı kapasitesi ve 50V kollektör-emitter kırılma gerilimi ile geniş uygulama alanında kullanılabilir. Cep telefonları, taşınabilir cihazlar, ses sistemleri ve endüstriyel kontrol devrelerinde sinyal işleme ve anahtarlama işlevlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 230 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 280 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok