Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC123JMB,315
TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
PDTC123JMB,315 Hakkında
PDTC123JMB,315, Nexperia tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. 3-XFDFN (DFN1006B-3) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 250mW güç tüketimine kadar çalışabilir. Maksimum 100mA collector akımı ve 50V Vce breakdown voltajı ile çalışan transistör, hFE değeri 100 (10mA, 5V'de) olarak belirtilmiştir. 230MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalara uygun tasarlanmıştır. İntegre edilen 2.2kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci sayesinde harici ön beslemeli dirençlere ihtiyaç duymaz. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Doyum voltajı 100mV @ 250µA, 5mA olup aktif bölgede doğrusal çalışmayı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 230 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok