Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC123JK,115
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTC123JK
PDTC123JK,115 Hakkında
PDTC123JK,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistörüdür. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketi ile sunulan bu bileşen, entegre baz ve emitter dirençleri içerir. Maksimum 250mW güç tüketimi ve 100mA kolektör akımı kapasitesiyle, düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.2kΩ baz direnci ve 47kΩ emitter-baz direnci ile önceden ayarlanmış karakteristikler, hızlı tasarım ve prototipleştirme için uygundur. 50V BVCEO breakdown voltajı ile genel amaçlı elektronik devreler, sinyal işleme ve lojik seviye dönüştürme uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok