Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC123JE,115
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- PDTC123JE
PDTC123JE,115 Hakkında
PDTC123JE,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SC-75 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 150mW güç tüketimi ile çalışır. Dahili 2.2kΩ ve 47kΩ direnç yapılandırması sayesinde ek biyaslandırma devresi gerektirmez. 100mA maksimum kolektor akımı ve 50V gerilim dayanıklılığı ile anahtarlama ve küçük sinyal amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Yüksek integrasyon yoğunluğu gerektiren alanlar, özellikle tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol devrelerinde kullanılmaktadır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-75 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok