Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

PDTC123ET,215

TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PDTC123ET

PDTC123ET,215 Hakkında

PDTC123ET,215, Nexperia tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışabilir. İç olarak 2.2kΩ base ve 2.2kΩ emitter-base dirençleri barındıran transistör, sabit ön yükleme sağlar ve basit anahtarlama uygulamalarında kolayca kullanılabilir. 250mW güç tüketimi, 150mV doyum gerilimi ve 30 DC akım kazancı ile genel amaçlı sinyal işleme, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. Özellikle sınırlı alan ve otomatik ön yükleme gerektiren uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok