Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PDTC123EMB,315
NEXPERIA PDTC123EMB - SMALL SIGN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Seri / Aile Numarası
- PDTC123EMB
PDTC123EMB,315 Hakkında
PDTC123EMB,315, Nexperia tarafından üretilen NPN tipi pre-biased bipolar transistördür. Entegre giriş direnç ağı (R1: 2.2kΩ, R2: 2.2kΩ) ile donatılmıştır. Surface mount 3-pin DFN1006B paketinde sunulmaktadır. Maksimum collector akımı 100mA, collector-emitter doyum gerilimi 150mV (Ic=10mA, Ib=500µA) ve 50V doyum sonrası dönüş gerilimi ile karakterize edilir. 230MHz geçiş frekansı ve 250mW güç yayılımı kapasitesi söz konusudur. DC current gain 30 (Ic=20mA, Vce=5V) olarak belirtilmiştir. Sinyal anahtarlama, seviye kaydırma ve düşük güçlü amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Part Status | Active |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
| Frequency - Transition | 230 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok