Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC123EM,315
TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006-3
PDTC123EM,315 Hakkında
PDTC123EM,315, Nexperia tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar junction transistördür. DFN1006-3/SOT-883 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter direnç ağı içerir. 50V maksimum Vce ile 100mA kolektör akımına kadar çalışabilir. 250mW güç disipasyonuna sahiptir. 2.2kΩ base ve emitter-base dirençleri sayesinde ön beslemeli tasarımında hızlı anahtarlama sağlar. Gürültü, elektronik cihazlar, sensör arabirimleri ve genel amaçlı anahtar uygulamalarında kullanılır. Kompakt SO paketi, özellikle portatif ve hafif cihazlar için uygun.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-883 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok