Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC123EK,115
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTC123
PDTC123EK,115 Hakkında
PDTC123EK,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. TO-236-3 (SC-59, SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 250 mW güç kapasitesi ile düşük sinyal seviyesi uygulamalarında kullanılır. İçerisinde 2.2 kΩ base ve 2.2 kΩ emitter-base dirençleri bulunur. Maksimum 100 mA collector akımı, 50V breakdown voltajı ve 150mV saturation voltajı ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Ön beslemeli tasarımı sayesinde harici bias dirençlerine ihtiyaç duymaz. Sayısal lojik, motor kontrol, ses amplifikasyonu ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. Bileşen üretim durdurulmuş (obsolete) durumda olup yerine yeni referans numaralar önerilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok