Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC123EEF,115
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SC-89
- Seri / Aile Numarası
- PDTC123
PDTC123EEF,115 Hakkında
PDTC123EEF,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistörüdür. SC-89 (SOT-490) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, entegre baz ve emitter dirençleri (her biri 2.2 kΩ) içerir. Maksimum 100 mA kolektör akımı ve 250 mW güç tüketimi kapasitesine sahiptir. 50V Vce(br)dss ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılabilir. Ön beslemeli yapısı sayesinde ayrı baz direnç gereksinimini ortadan kaldırır. Düşük güçlü anahtarlama uygulamaları, lojik seviye kontrolleri ve genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. Bileşen halen üretimden kaldırılmış olup, envanterde bulunan stoklar için kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-89, SOT-490 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-89 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok