Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC115TS,126
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTC115TS
PDTC115TS,126 Hakkında
PDTC115TS,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli NPN BJT transistörüdür. TO-92-3 (TO-226-3) paketinde sağlanan bu bileşen, 500mW güç derecelendirmesine ve 100mA maksimum kollektör akımına sahiptir. 100kΩ entegre taban direnci ile donatılmış olup, kontrol devrelerinde ve sinyal anahtarlamada kullanılır. Maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 150mV doyum gerilimi ile düşük seviye mantık uygulamalarında ve mikroçip kontrol devrelerinde yer alır. Ön beslemeli yapısı sayesinde ayarlamalar gerektirmeden doğrudan entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok