Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC115TE,115
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- PDTC115
PDTC115TE,115 Hakkında
PDTC115TE,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SC-75 yüzey montaj paketi ile sunulan bu komponent, entegre base direnç (100 kΩ) sayesinde harici direnç gereksinimini ortadan kaldırır. Maksimum collector akımı 100 mA, maksimum güç tüketimi 150 mW olan transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 50V collector-emitter kırılma gerilimi ve 150mV satürasyon gerilimi özellikleri, düşük voltaj kontrol devrelerinde yaygın olarak tercih edilmesini sağlar. Eğitim projeleri, otomotiv kontrol sistemleri ve tüketici elektroniğinde sinyal kontrol ve güç anahtarlaması görevlerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-75 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok