Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

PDTC115ET,215

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PDTC115ET

PDTC115ET,215 Hakkında

PDTC115ET,215, Nexperia tarafından üretilen NPN ön beslemeli transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter direnç ağına sahiptir. Maksimum 250mW güç tüketebilir ve 20mA kolektör akımı sağlar. 50V breakdown voltajında çalışır. Vce saturation değeri maksimum 150mV'tir. Ön beslemeli yapısı sayesinde logic seviyeleriyle doğrudan arayüz oluşturabilir. Hızlı anahtarlama uygulamaları, sürücü devreleri ve dijital kontrol sistemlerinde kullanılır. İntegre direnç ağı ile basitleştirilmiş devre tasarımı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 100 kOhms
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok