Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC115ES,126
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- PDTC115ES
PDTC115ES,126 Hakkında
PDTC115ES,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen ön beslemeli NPN BJT transistörüdür. TO-92-3 (TO-226AA) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 500 mW güç tüketimi ve 50V kolektör-emiter kırılma voltajı ile çalışır. Kolektör akımı maksimum 20 mA, DC akım kazancı (hFE) 5mA ve 5V'de minimum 80 değerine sahiptir. Temel devresinde 100 kΩ ve emiter-taban direncinde 100 kΩ entegre edilmiştir. Doyum durumunda 150mV Vce ile 250µA taban akımında 5mA kolektör akımını sağlar. Düşük güçlü sinyal anahtarlama, lojik seviyeleri seviyesi dönüştürme ve ön beslemeli uygulamalarda kullanılır. Through-hole montajı ile PCB'lere doğrudan lehimlenebilir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok