Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC115EMB,315
TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3
PDTC115EMB,315 Hakkında
PDTC115EMB,315, Nexperia tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. DFN1006B-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 20mA maksimum collector akımı ile çalışır. 230 MHz transition frequency özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Entegre 100kΩ base ve 100kΩ emitter-base dirençleri ile donatılan cihaz, minimum 250mW güç tüketim kapasitesine sahiptir. DC current gain 80 @ 5mA/5V ve 150mV maksimum saturation voltajı ile sağlanan bu transistör, düşük seviye sinyal anahtarlaması, lojik giriş arayüzü ve diskrit kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Aktif ürün statüsü ile tedarik edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 230 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok