Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
PDTC115EM,315
TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006-3
PDTC115EM,315 Hakkında
PDTC115EM,315, Nexperia tarafından üretilen NPN ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. DFN1006-3 (SOT-883) paketinde sunulan bu komponent, içerisinde entegre 100kΩ base ve emitter-base dirençleri bulundurmaktadır. Maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 20mA collector akımı ile çalışabilen transistör, 250mW güç tüketiminde tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) 5mA collector akımında 80 değerindedir. Düşük güç tüketimi ve kompakt yüzey montajlı kasa ile logic seviyeleri ve sinyal işleme uygulamalarında, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 150mV saturation gerilimi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-883 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok